在stm32中如何使用、配置FSMC配置

由于内部每个地址对应一个字节,外部设备16位宽,FSMC的一个地址对应两个字节

FSMC初始化

LCD背光BL直接PB0控制

成员变量 Instance 和成员变量 Extended 实际上是用来在指定的时序模型下，寄存器基地址 和扩展模式寄存器基地址

在HAL库中配置

SRAM_HandleTypeDef TFTSRAM_Handler;    //SRAM句柄(用于控制LCD)

void LCD_Init(void)
{ 	  
	GPIO_InitTypeDef GPIO_Initure;
	FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef FSMC_ReadWriteTim;
	FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef FSMC_WriteTim;
    
	__HAL_RCC_GPIOB_CLK_ENABLE();			//开启GPIOB时钟
	GPIO_Initure.Pin=GPIO_PIN_0;          	//PB0,背光控制
	GPIO_Initure.Mode=GPIO_MODE_OUTPUT_PP;  //推挽输出
	GPIO_Initure.Pull=GPIO_PULLUP;          //上拉
	GPIO_Initure.Speed=GPIO_SPEED_FREQ_HIGH;//高速
	HAL_GPIO_Init(GPIOB,&GPIO_Initure); 
	
	TFTSRAM_Handler.Instance=FSMC_NORSRAM_DEVICE;                
	TFTSRAM_Handler.Extended=FSMC_NORSRAM_EXTENDED_DEVICE;    
    
	TFTSRAM_Handler.Init.NSBank=FSMC_NORSRAM_BANK4;     				//使用NE4
	TFTSRAM_Handler.Init.DataAddressMux=FSMC_DATA_ADDRESS_MUX_DISABLE; 	//地址/数据线不复用
	TFTSRAM_Handler.Init.MemoryType=FSMC_MEMORY_TYPE_SRAM;   			//SRAM
	TFTSRAM_Handler.Init.MemoryDataWidth=FSMC_NORSRAM_MEM_BUS_WIDTH_16; //16位数据宽度
	TFTSRAM_Handler.Init.BurstAccessMode=FSMC_BURST_ACCESS_MODE_DISABLE; //是否使能突发访问,仅对同步突发存储器有效,此处未用到
	TFTSRAM_Handler.Init.WaitSignalPolarity=FSMC_WAIT_SIGNAL_POLARITY_LOW;//等待信号的极性,仅在突发模式访问下有用
	TFTSRAM_Handler.Init.WaitSignalActive=FSMC_WAIT_TIMING_BEFORE_WS;   //存储器是在等待周期之前的一个时钟周期还是等待周期期间使能NWAIT
	TFTSRAM_Handler.Init.WriteOperation=FSMC_WRITE_OPERATION_ENABLE;    //存储器写使能
	TFTSRAM_Handler.Init.WaitSignal=FSMC_WAIT_SIGNAL_DISABLE;           //等待使能位,此处未用到
	TFTSRAM_Handler.Init.ExtendedMode=FSMC_EXTENDED_MODE_ENABLE;        //读写使用不同的时序
	TFTSRAM_Handler.Init.AsynchronousWait=FSMC_ASYNCHRONOUS_WAIT_DISABLE;//是否使能同步传输模式下的等待信号,此处未用到
	TFTSRAM_Handler.Init.WriteBurst=FSMC_WRITE_BURST_DISABLE;           //禁止突发写
    
	//FMC读时序控制寄存器
	FSMC_ReadWriteTim.AddressSetupTime=0x06;       	//地址建立时间（ADDSET）为7个HCLK 13.8ns*7=96.6ns
	FSMC_ReadWriteTim.AddressHoldTime=0;
	FSMC_ReadWriteTim.DataSetupTime=26;				//数据保存时间为27个HCLK	=13.8*27=372.6ns
	FSMC_ReadWriteTim.AccessMode=FSMC_ACCESS_MODE_A;//模式A
	//FMC写时序控制寄存器
	FSMC_WriteTim.BusTurnAroundDuration=0;			//总线周转阶段持续时间为0，此变量不赋值的话会莫名其妙的自动修改为4。导致程序运行正常
	FSMC_WriteTim.AddressSetupTime=3;          		//地址建立时间（ADDSET）为4个HCLK =55.2ns 
	FSMC_WriteTim.AddressHoldTime=0;
	FSMC_WriteTim.DataSetupTime=0x06;              	//数据保存时间为13.8ns*7个HCLK=96.6ns
	FSMC_WriteTim.AccessMode=FSMC_ACCESS_MODE_A;    //模式A
	HAL_SRAM_Init(&TFTSRAM_Handler,&FSMC_ReadWriteTim,&FSMC_WriteTim);	


}

FSMC_BWTRx 则组合成 BWTR[7]，他们的对应关系如下： BWTR[0]对应 FSMC_BWTR1， BWTR[2]对应 FSMC_BWTR2， BWTR[4]对应 FSMC_BWTR3， BWTR[6]对应 FSMC_BWTR4，

FSMC_BWTRx 寄存器
ADDSET 设置为 0，即 1 个 HCLK 周期

//重新配置写时序控制寄存器的时序   提速
Bank1.region4	即BWTR[6]对应 FSMC_BWTR4 	

						    
		FSMC_Bank1E->BWTR[6]&=~(0XF<<0);//地址建立时间(ADDSET)清零 	 
		FSMC_Bank1E->BWTR[6]&=~(0XF<<8);//数据保存时间清零
		
		FSMC_Bank1E->BWTR[6]|=1<<0;		//地址建立时间(ADDSET)为2个HCLK =28ns  	 
		FSMC_Bank1E->BWTR[6]|=1<<8; 	//数据保存时间(DATAST)为13.8ns*2个HCLK=28ns

时钟72M，HCLK周期1/72M=13.6ns

//使用NOR/SRAM的 Bank1.sector4,地址位HADDR[27,26]=11 A10作为数据命令区分线 
//注意设置时STM32内部会右移一位对其! 			    
#define LCD_BASE        ((u32)(0x6C000000 | 0x000007FE))
#define LCD             ((LCD_TypeDef *) LCD_BASE)