常见的单端(线)阻抗计算模式：

Surface Microstrip 1B

在下图(表面，或暴露，微带)信号线暴露(空气)和参考电源或接地平面。根据电介质相对于迹的排列(在迹的下方或上方)对结构进行分类。下图显示了在信号轨迹(指定为1B)以下使用单一介电层的表面微带结构 适用范围：外层阻焊前阻抗计算 参数说明： H1：外层到 VCC/GND 间的介质厚度 W2：阻抗线线面宽度 W1: 阻抗线线底宽度 Er1: 介质层介电常数 T1：线路铜厚=基板铜厚+(孔铜+5)*1.2

Surface Microstrip 2B

下图显示了表面微带结构使用两个介电层以下的轨迹(指定2B)。

Embedded Microstrip 1B1A

适用范围:与外层相邻的第二个线路层阻抗计算 例如一个 6 层板,L1、L2 均为线路层,L3 为 GND或 VCC 层,则 L2 层的阻抗用此方式计算. 参数说明: H1:线路层到相邻 VCC/GND 间介质厚度 H2:外层到第二个线路层间的介质厚度+第二个线路层铜厚 W2:阻抗线线面宽度 W1:阻抗线线底宽度 T1:阻抗线铜厚=基板铜厚 Er1:介质层介电常数(线路层到相邻 VCC/GND 间介质) Er2:介质层介电常数(外层到第二个线路层间)

Coated Microstrip 1B

适用范围：外层阻焊后阻抗计算 参数说明： H1：外层到 VCC/GND 间的介质厚度 W2：阻抗线线面宽度 W1: 阻抗线线底宽度 Er1:介质层介电常数 T1：线路铜厚=基板铜厚+(孔铜+5)*1.2 CEr：阻焊介电常数C1: 基材阻焊厚度C2: 线面阻焊厚度

Coated Microstrip 2B

阻抗计算模式同上，仅多一介质层（比如一个 4 层板,L1 层需做阻抗控制,L2 层为线路层，L3 层为 GND/VCC 参考层）。

Offset Stripline 1B1A

常见的差分(动)阻抗计算模式：

Edge-Coupled Surface Microstrip 1B

适用范围：外层阻焊前差动阻抗计算 参数说明: H1：外层到 VCC/GND 间的介质厚度 W2：阻抗线线面宽度 W1: 阻抗线线底宽度 S1：差动阻抗线间隙 Er1: 介质层介电常数 T1：线路铜厚=基板铜厚+(孔铜+5)*1.2

Edge-Coupled Coated Microstrip 1B

适用范围：外层阻焊后差动阻抗计算 参数说明: H1：外层到 VCC/GND 间的介质厚度 W2：阻抗线线面宽度 W1: 阻抗线线底宽度 S1：差动阻抗线间隙 Er1: 介质层介电常数 T1：线路铜厚=基板铜厚+(孔铜+5)*1.2 CEr: 阻焊介电常数 C1: 基材阻焊厚度 C2:线面阻焊厚度 C3:差动阻抗线间阻焊厚度

Edge-Coupled Embedded Microstrip 1B1A

适用范围:与外层相邻的第二个线路层差动阻抗 计算 例如一个 6 层板,L1、L2 均为线路层,L3为 GND 或 VCC 层,则 L2 层的阻抗用此方式计算. 参数说明: H1:线路层到相邻 VCC/GND 间介质厚度 H2:外层到第二个线路层间的介质厚度+第二个线路层铜厚 W2：阻抗线线面宽度 W1: 阻抗线线底宽度 T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚 Er1: 介质层介电常数（线路层到相邻 VCC/GND间介质） Er2: 介质层介电常数（外层到第二个线路层间介质） S1：差动阻抗线间隙

Edge-Coupled Embedded Microstrip 1B1A1R

Edge-Coupled Offset Stripline 1B1A

适用范围：两个 VCC/GND 夹一个线路层之阻抗计算 参数说明： H1:线路层到较近之 VCC/GND 间距离 H2:线路层到较远之 VCC/GND 间距离+阻抗线路层铜厚 Er1:介质层介电常数（线路层到相邻 VCC/GND 间介质） Er2:介质层介电常数（线路层到较远 VCC/GND 间介质） W2：阻抗线线面宽度 W1: 阻抗线线底宽度 T1: 阻抗线铜厚=基板铜厚 S1：差动阻抗线间隙

Edge-Coupled Offset Stripline 2B1A1R

Broadside-Coupled Stripline 2S

Broadside-Coupled Stripline 3S

Surface Coplanar Strips 1B

Surface Coplanar Strips With Ground 1B

Surface Coplanar Strips With Ground 2B