小白的模拟电路初步学习20日打卡(16）
等效电路法（下）
一.晶体管的h参数（混合参数）等效模型（交流等效模型）
在交流通路中可将晶体管看作一个二端口网络，输入回路输出回路各是一个端口。
我们可以将uBE和Ic近似等效为一个函数： uBE=f（iB，uBE） iC=f（iB，uBE） 在低频小信号作用下的利用全微分得到的关系式： diB，duCE等表变化量。 有几个特定关系： Uce一定看Ube与ab之间的关系。 Ib一定参与Ube与Uce之间的关系。 Uce一定看iC与iB之间的关系。 Ib一定参与iC与uCE之间的关系。 所以原式⇒
而四个系数之中，我们依然可以在进行一定程度上的简化，使整个二极管更加的简单。 由上面的特质分析，重要的是h11和h21，h12和h22可以忽略，因为h12根据之前所讲，uce与ube关系，当uce大于ev时，ube曲线几乎不变，所以h12影响极小可忽略；而h22，因为Rce极大，所以h22影响极小可忽略。 因此我们就得到了简化的h参数等效电路——交流等效模型。
二.h参数等效电路模型 β，可以查看手册，但如果做实体电路必须要实测其数值。 rbb‘：基区体电阻，电阻大。 rb’e‘：发射结电阻，利用pn接结电流方程可求得。 re’：发射区体阻，电阻数值小可忽略。 rb‘e’=Ube/Ih=rbb‘+rbe≈rbb+（1+β）UT/IEQ。 rbb：查看手册。 （1+β）UT/IEQ：由IEQ得到。 在输入特性曲线上，Q点越高，rbe越小。
由此在得出rbe与βIb后，我们就可以利用等效模型求出我们所需要的数值。
这就是我今天的学习内容，谢谢各位的观看。
