MOS介绍和参数测试方法

1：MOS的三个引脚

G极：栅极，最好认的。 S极：源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是。 D极：漏极，不论是P沟道还是N沟道，单独引线的就是。

2：沟道与寄生二极管

什么是N沟道，什么是P沟道： 寄生二极管的方向如何判定： N沟道，由S极指向D极。 P沟道，由D极指向S极。 其实不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：要么都由S指向D，要么都由D指向S。

3：MOS的主要作用

开关作用： 即可以实现信号切换（高低电平切换），也可以实现电压通断。 MOS管用作开关时在电路中的连接方法（MOS管中的寄生二极管方向是关键）。 导通条件： 不论N沟道还是P沟道MOS管，G极电压都是与S极做比较。 N沟道： UG>US时导通，（简单认为）UG=US时截止。 P沟道： UG<US时导通，（简单认为）UG=US时截止。 但UG比US大（或小）多少伏时MOS管才会饱和导通，就要看具体的mos管，不同MOS管需要的压差不同。 隔离作用： 这时候MOS管起作用的只有二极管这一小部分，其本质也就是实现电路的单向导通，它就相当于一个二极管，但在电路中我们常用隔离MOS，是因为使用二极管，导通时会有压降，会损失一些电压。而使用MOS管做隔离，在正向导通时，在控制极加合适的电压，可以让MOS管饱和导通，这样通过电流时几乎不产生压降。 MOS管作用总结： 如果MOS管用作开关时，（不论N沟道还是P沟道），一定是寄生二极管的负极接输入边，正极接输出端或接地。否则就无法实现开关功能了。 如果MOS管用作隔离时，（不论N沟道还是P沟道），寄生二极管的方向一定是和主板要实现的单向导通方向一致。

4：沟槽式场效应管

沟槽式场效应管TrenchMOSFET是现在比较常用的金属-氧化物半导体场效应晶体管。因其具有低导通电阻、低栅漏电荷密度的特点，所以功率损耗低、开关速度快。且由于TrenchMOSFET为垂直结构器件，因此可进一步提高其沟道密度，减少芯片尺寸，使功率场效应管的SMD微型封装成为现实。 在手机电池保护电路中，常用到两个场效应管共漏极使用的MOSFET，因为在手机保护电路中，即要进行过充检测也要进行过放检测。该类MOSFET内部电路结构如下图虚线内所示： 打开该类MOS的规格书我们会看到许多如下参数： 那么如何测试这些参数呢，下面请看测试手法！

注意： 下文中加粗字体为变量，需根据MOS规格书来确定实际参数。 1：VSSS耐压 按下图连接测试电路，设置VGS=0V，VSS1从0V以0.1V步增，逐渐增加电压至IS=1mA,且MOS无损毁，记录VSS1的电压。 按下图连接测试电路，设置VGS=0V，VSS2从0V以0.1V步增，瞬间增加电压至IS=1mA,且MOS无损毁，记录VSS2的电压。 2：ISSS电流 按下图连接测试电路，设置VSS=12V，VGS=0V，记录下ISSS。

3：VGS(th)开启电压 按下图连接测试电路，设置VSS=6V，以0.1V同步增加VGS1的电压，直至ISS=1mA,记录下此时VGS1的电压，同理测试另一FET的VGS2。 4：IGSS栅极漏电流 按下图连接测试电路，设置VSS=0V，VGS1=±8V，记录下IGSS1，同理测试另一FET的IGSS2。 5：RSS(on)内阻 按下图连接测试电路，设置IS=6A，分别测试VGS等于4.5V、4.0V、3.8V、3.1V、2.5V时，S1与S2两端的电压VS1S2，RSS（on）=VS1S2/6A。 6：VFSS二极管导通电压 按下图连接测试电路，设置VGS2=4.5V，VGS1=0V，VS1S2=4.5V，IS1S2=6A，记录下测试的VFSS1。 同理，设置VGS1=4.5V，VGS2=0V，VS2S1=4.5V，IS2S1=6A，记录下测试的VFSS2。