MOSFET（二）：米勒效应
1.米勒效应：
MOS管的任何两极之间都会存在寄生电容，分别是Cgs，Cgd，Cds，如下图所示：
MOS管的米勒电容Cgd引起米勒效应：在MOS管导通过程中，Vgs电压上升到某一电压值后，Vgs电压有一段稳定值（图中t2~t3阶段），一段时间后Vgs电压又开始上升直至完全导通。
米勒效应会阻止Vgs电压上升，使得导通时间变长，损耗加剧。
1)时刻：Vgs为0，Vd>Vg，Cgd充电，右正左负；
2) ~时刻：Vgs开始上升，Ig电流主要给Cgs充电，当Vgs达到开启电压Vth时（时刻），mos开始导通，Vds开始下降；
3) ~时刻：Vgs继续上升，给Cgs充电，Vds继续下降（下降较小），当Vgs达到米勒平台电压Va时，开始进入米勒平台；
4) ~时刻：时刻开始，随着Vd下降，Vd＜Vg，驱动电流主要开始反向给Cgd充电，这段时间，Vgs没有增加，这段时间就是米勒平台。
5) ~时刻，随着Cgd逐渐充满，mos管完全导通，Vgs继续增加，直到最高的驱动电平Vg。
2.应用：
米勒平台虽然在高频开关状态会严重增加MOS的开通损耗，但是在电源缓启动中有很大的用处。通过上图可以看到，MOS管两端电压Vds的下降区间，大部分都在米勒平台之间完成，如果增加MOS管的米勒电容Cgd，可以达到延长Vds的下降时间，也就可以利用MOS管做开关，做电源的缓启动，在热拔插、独立模块供电、大功率设备上电，都有很好的益处。
